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在线真空脱气机（G1322A/G1379B）

四通路在线真空膜过滤技术，内置真空泵，压力传感器，实时监控真空腔压力变化，保

证及时的脱气操作。

真空维持：

G1322A 自动监测真空状态，真空降低，自动启动真空泵，有效维持真空度。

G1379B 连续真空运行，有效降低液流脉动，适配低流速液相色谱系统。

大流速：每一通路 10mL/min（G1322A）；5.0mL/min（G1379B）

内体积：每一通路 12mL （G1322A）；1.0mL（G1379B）

pH 耐受范围：1~14

控温范围：

G1316A 室温下 10℃~80℃，宏命令可控制 90℃

G1316B 室温下 10℃~100℃

控温速率：室温加热 40℃，5min；40℃降温 20℃，10min

控温精度：±0.15℃

控温准确度：±0.5℃

柱容量：30cm×3

内体积：左控温模块 3µL，右控温模块 6µL；

阀切换功能：

G1316A 标准型/微型 2ps/6pt 阀或标准型 2ps/10pt 阀

G1316B 标准型/微型 2ps/6pt 阀或微型 2ps/10pt

功能扩展（用于快速液相色谱，G1316B）：

附加低扩散热交换器，并具有柱后降温功能，保证快速检测时基线平稳。

GLP 性能：柱识别器记录色谱柱的使用次数及使用方法

可变波长紫外检测器（G1314B/C）

光源：灯

波长范围：190～600nm

狭缝宽度：6.5nm

光谱：停流扫描

检测通道：1 个实时输出信号

波长校正：灯和内置钬玻璃自动校正

波长精度：1nm

基线噪音：±0.75×10-U at 254nm （1mL/min ）

基线漂移：1×10-4AU/h at 254nm （1mL/min ）

线性范围：>2AU

测量范围：>2AUFS

快采样速率：13Hz（G1314B）；55Hz（G1314C）

可编程时间表：波长，峰宽，灯开/关，信号自动回零，峰反转，采样时间

信号输出：1 个输出，100mV 或 1V

实现晶体的外延生长。这种技术可以生长Si、GaAs、GaAlAs、GaP等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层,用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1] 。液相外延由尼尔松于1963年发明，成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法，被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延，反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。